با پیشرفت و تغییر مقیاس فناوری ساخت به ابعاد نانومتری، حافظههای SRAM بهعنوان یک بخش بااهمیت در طیف وسیعی از برنامههای میکروالکترونیک، از مصرفکنندههای بیسیم تا پردازندههای سطح بالا، کاربردهای چندرسانهای و سامانههای بر تراشه استفاده می شوند. سلول بیتی پایه در طراحی آرایهSRAM ، ساختار شش ترانزیستوری است، اما نوسانات و قطع ولتاژ تغذیه، منجر به حذف اطلاعات ذخیره شده سلول های مبتنی بر آن می شود. اختراع نانوافزاره ممریستور به خاطر سرعت کلیدزنی بالا، پایداری بالا در نگهداری داده، مصرف توان پایین، چگالی مجتمع سازی بالا و سازگاری با فناوریCMOS ، می تواند این مشکل را برطرف سازد. در این مقاله دو سلول SRAM جدید غیرفرار با استفاده از روش COMS مبتنی بر ممریستور پیشنهاد شده است. اولین سلول پیشنهادی دارای هشت ترانزیستور و دو ممریستور ۸T۲M و سلول دوم دارای نه ترانزیستور و دو ممریستور ۹T۲M است. سلول های پیشنهادی با استفاده از فناوری ۱۸۰ نانومتر TSMCو با تغذیه ۸/۱ ولت طراحی و در نرمافزار HSPICE شبیه سازی شده اند. رویکرد طراحی در این سلولها در جهت کاهش توان مصرفی، حفظ حاشیه نویز استاتیکی SNM و اضافه شدن قابلیت غیرفراربودن حافظه نسبت به ساختارهای پیشین است. شبیه سازی بیانگر آن است که برای سلول ۸T۲M، توان مصرفی حالتWrite ۰ و Write ۱ به میزان ۱۱ درصد بهبود نسبت به سلول شش ترانزیستوری متعارف دارد. همچنین، در سلول ۹T۲M، بهبود برای حالتRead ۰ حدود ۵۴ درصد و برای حالت Read ۱ حدود ۱۱ درصد است.
