تخلیه _­­­جزئی­‌­ یکی از پدیده‌هایی است که می‌تواند در اثر ضعف در سیستم عایقی ترانسفورماتور رخ دهد و با گسترش یافتن، منجر به از بین رفتن عایق و وقوع خطا در ترانسفورماتور گردد. از آنجاییکه تخلیه­جزئی خطای موضعی است در اکثر مواقع با باز کردن ترانسفورماتور محل تخلیه به کمک چشم امکان­پذیر نیست لذا تعیین محل تخلیه قبل از باز کردن ترانسفورماتور از اهمیت بالایی برخوردار است، به این منظور نیز در این مقاله شاخصی مبتنی بر توابع تبدیل جزءبه‌جزء سیم­پیچ ارائه می­گردد که با مقایسه­ی میزان شباهت شاخص مکان­یابی بدست آمده از گره­های مختلف سیم­پیچ با شاخص مکان­یابی از محل واقعی تخلیه، به مکان­یابی تخلیه­جزئی می پردازد. یکی از مشکلات اصلی استفاده از این روش در دسترس نبودن سیم‌پیچ‌ و ترمینال دیسک های آن جهت بدست آوردن شاخص مکان­یابی برای دیسک­های سیم­پیچ است، ازاین‌رو با شبیه‌سازی فیزیکی سیم‌پیچ مورد آزمایش در نرم‌افزار Maxwell، پارامترهای الکتریکی مورد نیاز جهت شبیه‌سازی الکتریکی سیم‌پیچ محاسبه گردید و سپس شاخص مذکور به روش شبیه‌سازی محاسبه و با مقادیر واقعی مقایسه شد. نتایج نشان می‌دهد که در صورت داشتن مشخصات فیزیکی سیم‌پیچ می‌توان بدون اندازه­ گیری مستقیم روی سیم پیچ، شاخص مکان­یابی را از راه شبیه­ سازی بدست آورد و این مساله را مرتفع نمود.