با پیشرفت و تغییر مقیاس فناوری ساخت به ابعاد نانومتری، حافظههای SRAM بهعنوان یک بخشبااهمیت در طیف وسیعی از برنامههای میکروالکترونیک، از مصرفکنندههای بیسیم تاپردازندههای سطح بالا، کاربردهای چندرسانهای و سامانههای بر تراشه استفاده می شوند. سلول بیتی پایه در طراحی آرایهSRAM ، ساختار شش ترانزیستوری است، اما نوسانات و قطع ولتاژ تغذیه، منجر به حذف اطلاعات ذخیره شده سلول های مبتنی بر آن می شود. اختراع نانوافزاره ممریستور به خاطر سرعت کلیدزنی بالا، پایداری بالا در نگهداری داده، مصرف توان پایین، چگالی مجتمع سازی بالا و سازگاری با فناوریCMOS ، می تواند این مشکل را برطرف سازد. در این مقاله دو سلول SRAM جدید غیرفرار با استفاده از روش COMS مبتنی بر ممریستورپیشنهاد شده است. اولین سلول پیشنهادی دارای هشت ترانزیستور و دو ممریستور 8T2M و سلول دوم دارای نه ترانزیستور و دو ممریستور 9T2Mاست. سلول های پیشنهادی با استفاده از فناوری 180 نانومتر TSMCو با تغذیه 8/1 ولت طراحی و در نرمافزار HSPICE شبیه سازی شده اند.رویکرد طراحی در این سلولها در جهت کاهش توان مصرفی، حفظ حاشیه نویز استاتیکی SNMو اضافه شدن قابلیت غیرفراربودن حافظه نسبت به ساختارهای پیشین است. شبیه سازی بیانگر آن است که برای سلول 8T2M، توان مصرفی حالتWrite 0 و Write 1 به میزان 11 درصد بهبود نسبت به سلول شش ترانزیستوری متعارف دارد. همچنین، در سلول 9T2M، بهبود برای حالتRead 0 حدود 54 درصد و برای حالت Read 1 حدود 11 درصد است.
Rezaei A, Zanjani S M A. Design and Analysis of 2 Memristor-Based Nonvolatile SRAM Cells. تحقیقات نوین در سیستمهای قدرت هوشمند 2020; 9 (2) :47-56 URL: http://jeps.dezful.iau.ir/article-1-296-fa.html
رضایی علی، زنجانی سید محمدعلی. طراحی و تحلیل دو سلول SRAM غیرفرار مبتنی بر ممریستور. نشریه علمی-تخصصی تحقیقات نوین در سیستمهای قدرت هوشمند. 1399; 9 (2) :47-56
