|
طراحی و تحلیل دو سلول SRAM غیرفرار مبتنی بر ممریستور
|
علی رضایی   ، سید محمدعلی زنجانی* |
|
|
|
چکیده: (۷۶۲ مشاهده) |
با پیشرفت و تغییر مقیاس فناوری ساخت به ابعاد نانومتری، حافظههای SRAM بهعنوان یک بخش بااهمیت در طیف وسیعی از برنامههای میکروالکترونیک، از مصرفکنندههای بیسیم تا پردازندههای سطح بالا، کاربردهای چندرسانهای و سامانههای بر تراشه استفاده می شوند. سلول بیتی پایه در طراحی آرایهSRAM ، ساختار شش ترانزیستوری است، اما نوسانات و قطع ولتاژ تغذیه، منجر به حذف اطلاعات ذخیره شده سلول های مبتنی بر آن می شود. اختراع نانوافزاره ممریستور به خاطر سرعت کلیدزنی بالا، پایداری بالا در نگهداری داده، مصرف توان پایین، چگالی مجتمع سازی بالا و سازگاری با فناوریCMOS ، می تواند این مشکل را برطرف سازد. در این مقاله دو سلول SRAM جدید غیرفرار با استفاده از روش COMS مبتنی بر ممریستور پیشنهاد شده است. اولین سلول پیشنهادی دارای هشت ترانزیستور و دو ممریستور 8T2M و سلول دوم دارای نه ترانزیستور و دو ممریستور 9T2M است. سلول های پیشنهادی با استفاده از فناوری 180 نانومتر TSMCو با تغذیه 8/1 ولت طراحی و در نرمافزار HSPICE شبیه سازی شده اند. رویکرد طراحی در این سلولها در جهت کاهش توان مصرفی، حفظ حاشیه نویز استاتیکی SNM و اضافه شدن قابلیت غیرفراربودن حافظه نسبت به ساختارهای پیشین است. شبیه سازی بیانگر آن است که برای سلول 8T2M، توان مصرفی حالتWrite 0 و Write 1 به میزان 11 درصد بهبود نسبت به سلول شش ترانزیستوری متعارف دارد. همچنین، در سلول 9T2M، بهبود برای حالتRead 0 حدود 54 درصد و برای حالت Read 1 حدود 11 درصد است. |
|
| واژه‌های کلیدی: سلول8T2M SRAM، سلول9T2M SRAM، ممریستور، حافظه غیرفرار. |
|
|
متن کامل [PDF 1047 kb]
(۳۸۲ دریافت)
|
نوع مطالعه: كاربردي |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1399/3/5 | پذیرش: 1399/6/30 | انتشار: 1399/6/30
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
